晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。

1、在书写晶体结构缺陷符号时，上标为•表示带（）个电荷。

在书写晶体结构缺陷符号时，上标为•表示带（）个电荷。A+2B+3C-1D+1

2、对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500

对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol，计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。

3、离子晶体生成Schttky缺陷时，正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同

离子晶体生成Schttky缺陷时，正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随（）的增加。

4、（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时

（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势...

5、在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要（）。

在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要（）。AA、慢BB、快CC、相等DD、无法比较

6、钻石中的矿物晶体大多数是在钻石生成的（）包裹在其中的。

钻石中的矿物晶体大多数是在钻石生成的（）包裹在其中的。A早期B晚期C成岩期D次生期