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问题

下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()


下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()

  • AA、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大
  • BB、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
  • CC、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
  • DD、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
参考答案
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