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为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕

为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A多晶硅
B单晶硅
C铝硅铜合金
D铜

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分类：集成电路制造工艺员（三级）题库,集成电路制造工艺员题库

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