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问题

哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

A低温注入
B常温注入
C高温注入
D分子注入
E双注入

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分类：集成电路制造工艺员（三级）题库,集成电路制造工艺员题库

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